|
|
Koncový stupeň vysílače pro radioamatérské pásmo 144 MHz (2 m)
Klapil, Filip ; Vařacha, František (oponent) ; Prokeš, Aleš (vedoucí práce)
Cílem bakalářské práce je návrh řešení vysokofrekvenčního koncového stupně o výkonu minimálně 1kW. Součástí řešení je použití komerčního modulu koncového stupně. Bude proveden návrh vstupního útlumového článku, přepínacích prvků v signálové cestě, výstupního filtru a ochranných obvodů vč. chlazení. Práce obsahuje návrh systémového řešení s pojednáním o požadovaném výkonu a legislativními požadavky. Následuje hardwarová sekce, kde se práce věnuje návrhu zapojení, teoretickému výpočtu součástek a simulaci. V poslední části se práce věnuje praktické realizaci, ověření funkce, měření dosažených parametrů a jejich zhodnocení.
|
|
|
SPICE model of LDMOS structure
Loginov, Dmitrii ; Biolek, Dalibor (oponent) ; Hejátková, Edita (vedoucí práce)
In this bachelor thesis, comparison of Lateral Double-diffused MOS against conventional MOS structure is presented. Anomalous effects, issues that this high-voltage device brings to modeling and characterization, and theoretical analysis of this type of structure are described in the first chapter. Next part of this project is focused on possible approaches in characterization that is used in the semiconductor industry, of LDMOS. The BSIM methodology, described in chapter two, has been chosen to create a DC and CV model of an n-type LDMOS device measured at the ON semiconductor laboratory. The steps of characterization, such as measurement, tuning of characteristics to an optimized BSIM4 parameter set are reported in the last chapters of this work.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
This work describes fundamental characteristics of LDMOS transistors. In the first part of work are described properties of LDMOS transistors, the basic parameters and techniques to improve parameters of transistors. The next section discusses the reliability of LDMOS transistors. This section describes the safe operating area (SOA), hot carrier injection (HCI) and negative bias temperature instability (NBTI). The last theoretical section describes models used to simulate ESD events. The practical part is focused on simulation of the basic parameters PLDMOS and NLDMOS transistors and comparison of simulated and measured concentration profiles. Furthermore the thesis deals with simulation of the impact of changes in geometrical parameters of the PLDMOS transistor and the impact of these changes on the electrical parameters. The last part contains TLP simulations which examines electrical properties of PLDMOS transistor when is used as ESD protection.
|
|
|
SPICE model of LDMOS structure
Loginov, Dmitrii ; Biolek, Dalibor (oponent) ; Hejátková, Edita (vedoucí práce)
In this bachelor thesis, comparison of Lateral Double-diffused MOS against conventional MOS structure is presented. Anomalous effects, issues that this high-voltage device brings to modeling and characterization, and theoretical analysis of this type of structure are described in the first chapter. Next part of this project is focused on possible approaches in characterization that is used in the semiconductor industry, of LDMOS. The BSIM methodology, described in chapter two, has been chosen to create a DC and CV model of an n-type LDMOS device measured at the ON semiconductor laboratory. The steps of characterization, such as measurement, tuning of characteristics to an optimized BSIM4 parameter set are reported in the last chapters of this work.
|
|
|
Koncový stupeň vysílače pro radioamatérské pásmo 144 MHz (2 m)
Klapil, Filip ; Vařacha, František (oponent) ; Prokeš, Aleš (vedoucí práce)
Cílem bakalářské práce je návrh řešení vysokofrekvenčního koncového stupně o výkonu minimálně 1kW. Součástí řešení je použití komerčního modulu koncového stupně. Bude proveden návrh vstupního útlumového článku, přepínacích prvků v signálové cestě, výstupního filtru a ochranných obvodů vč. chlazení. Práce obsahuje návrh systémového řešení s pojednáním o požadovaném výkonu a legislativními požadavky. Následuje hardwarová sekce, kde se práce věnuje návrhu zapojení, teoretickému výpočtu součástek a simulaci. V poslední části se práce věnuje praktické realizaci, ověření funkce, měření dosažených parametrů a jejich zhodnocení.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
This work describes fundamental characteristics of LDMOS transistors. In the first part of work are described properties of LDMOS transistors, the basic parameters and techniques to improve parameters of transistors. The next section discusses the reliability of LDMOS transistors. This section describes the safe operating area (SOA), hot carrier injection (HCI) and negative bias temperature instability (NBTI). The last theoretical section describes models used to simulate ESD events. The practical part is focused on simulation of the basic parameters PLDMOS and NLDMOS transistors and comparison of simulated and measured concentration profiles. Furthermore the thesis deals with simulation of the impact of changes in geometrical parameters of the PLDMOS transistor and the impact of these changes on the electrical parameters. The last part contains TLP simulations which examines electrical properties of PLDMOS transistor when is used as ESD protection.
|
host ::
RSS.